影響離子鍍膜層質(zhì)量的工藝參數(shù)

　?、倩珘?

　　離子鍍膜基片施加負(fù)偏壓后;各種離子和高能中性粒子流以較高的能量轟擊基片表面.基片負(fù)偏壓的提高，會(huì)使基片表面獲得更高的能量，可能形成偽擴(kuò)散層，提高膜層與基體的附著力，還可以改變膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能，如細(xì)化晶粒，隨著基片負(fù)偏壓的提高，膜層組織變細(xì)，但是，基片負(fù)偏壓的提高也會(huì)產(chǎn)生一些不利的影響，如反濺射作用的增加，使膜層表面受到刻蝕，使表面光潔程度降低，空心陰極離子鍍鉻時(shí)，基片負(fù)偏壓對(duì)鉻膜表面光澤度的影響，基片負(fù)偏壓的提高還會(huì)使沉積速率降低，使基片溫度升高，電弧離子鍍tin膜基片負(fù)偏壓對(duì)沉積速率的影響，因此，應(yīng)根據(jù)不同的離子鍍方法、不同的膜層及使用要求選擇適當(dāng)?shù)幕?fù)偏壓。

　?、阱兡ふ婵斩群头磻?yīng)氣體分壓.

　　離子鍍膜真空度對(duì)膜層組織、性能的影響與真空蒸鍍時(shí)的影響規(guī)律相似，但反應(yīng)氣體分壓對(duì)反應(yīng)離子鍍鍍制化合物膜的成分、結(jié)構(gòu)和性能有直接的影響，因此反應(yīng)氣體的分壓應(yīng)根據(jù)離子鍍方法，化合物膜層的成分、性質(zhì)、使用要求以及設(shè)備來(lái)選擇

　?、刍瑴囟?

　　離子鍍膜基片溫度的高低直接影響著膜層的組織、結(jié)構(gòu)和性能。一般情況下，溫度的增高有利于提高膜層與基片的附著力，有利于改善膜層的組織與性能。但是，溫度過(guò)高，則會(huì)使沉積速率降低，有時(shí)還會(huì)使膜層晶粒粗大，性能變壞;另外，基片溫度的選擇還要受基片材料性質(zhì)的限制，如鋼材的回火溫度等

　?、苷舭l(fā)源功率.

　　蒸發(fā)源功率對(duì)蒸發(fā)速率有直接的影響，進(jìn)而影響沉積速率，影響膜層的組織、性能，對(duì)反應(yīng)沉積化合膜時(shí)蒸發(fā)源功率也將影響膜層的成分。