磁控濺射鍍膜機(jī)使用磁控濺射鍍膜靶源，無(wú)論是非平衡式還是平衡式的磁控濺射鍍膜靶源，如果是靜止的磁鐵產(chǎn)生的磁場(chǎng)功對(duì)材的利用率會(huì)小于30%。一般的小型鍍膜設(shè)備，多采用磁場(chǎng)靜止靶材。鑒于此，可以通過(guò)更改磁場(chǎng)來(lái)增大對(duì)靶材的利用，旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)用在大型設(shè)備。

　　磁控濺射技術(shù)總體來(lái)說(shuō)都是利用電子與磁場(chǎng)的交互，產(chǎn)生大量離子撞擊靶材完成靶材的濺射，其中離不開(kāi)惰性氣體的參與，在如今的磁控濺射設(shè)備中已經(jīng)淘汰了線圈的磁鐵改為磁鐵。

　　一臺(tái)良好的磁控濺射鍍膜設(shè)備代價(jià)很高，靶源相當(dāng)于鍍膜設(shè)備的心臟但往往容易被購(gòu)買(mǎi)者忽視，很多朋友注重膜層厚度的測(cè)量、配套的真空泵好壞，MFC程序是否好用，別的方面在好如心臟不夠有力對(duì)整體的效果的影響是很大的，源的冷卻是保障源不被高溫所損壞的必須配置。

　　磁控濺射可以有中頻、高頻和直流之分，中頻磁控濺射的原理很直流磁控濺射是一樣的，在整個(gè)系統(tǒng)磁控濺射鍍膜中，筒體與陰極和陽(yáng)極的安排有關(guān)聯(lián)，其不同在于直流磁控濺射的陽(yáng)極是筒體，而中頻磁控濺射成對(duì)出現(xiàn)。就中頻磁控濺射而言，如今使用比較多的是鍍制一些金屬的產(chǎn)品，這種設(shè)備一般制作的比較大型，可以放下非常多的產(chǎn)品一起鍍制，提高了效率以及膜層的致密性。

　　利用不同的磁控濺射鍍膜技術(shù)可以得到不同的離子密度，改變磁場(chǎng)的設(shè)計(jì)可以改變離子的量以及分布，對(duì)于磁控濺射技術(shù)來(lái)說(shuō)磁場(chǎng)是機(jī)密的。。