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真空鍍膜設(shè)備濺鍍的原理是什么

2019-01-08  來自: 肇慶高要區(qū)恒譽(yù)真空技術(shù)有限公司 瀏覽次數(shù):1197

 

  濺鍍,一般指的是磁控濺鍍,歸于高速低溫濺鍍法.

  該技能請求真空度在1×10-3Torr擺布,即1.3×10-3Pa的真空狀況充入慵懶氣體氬氣(Ar),并在塑膠基材(陽極)和金屬靶材(陰極)之間加上高壓直流電,因?yàn)檩x光放電(glow discharge)發(fā)生的電子激起慵懶氣體,發(fā)生等離子體,等離子體將金屬靶材的原子轟出,堆積在塑膠基材上.

  以幾十電子伏特或更高動(dòng)能的荷電粒子炮擊資料外表,使其濺射出進(jìn)入氣相,可用來刻蝕和鍍膜。入射一個(gè)離子所濺射出的原子個(gè)數(shù)稱為濺射產(chǎn)額(Yield)產(chǎn)額越高濺射速度越快,以Cu,Au,Ag等高,Ti,Mo,Ta,W等低。一般在0.1-10原子/離子。離子能夠直流輝光放電(glow discharge)發(fā)生,在10-1—10 Pa真空度,在兩極間加高壓發(fā)生放電,正離子會(huì)炮擊負(fù)電之靶材而濺射也靶材,而鍍至被鍍物上。

  正常輝光放電(glow discharge)的電流密度與陰極物質(zhì)與形狀、氣體品種壓力等有關(guān)。濺鍍時(shí)應(yīng)盡也許保持其安穩(wěn)。任何資料皆可濺射鍍膜,即便高熔點(diǎn)資料也簡單濺鍍,但對非導(dǎo)體靶材須以射頻(RF)或脈沖(pulse)濺射;且因?qū)щ娦暂^差,濺鍍功率及速度較低。金屬濺鍍功率可達(dá)10W/cm2,非金屬<5w>

  二極濺鍍射:靶材為陰極,被鍍工件及工件架為陽極,氣體(氬氣Ar)壓力約幾Pa或更高方可得較高鍍率。

  磁控濺射:在陰極靶外表構(gòu)成一正交電磁場,在此區(qū)電子密度高,進(jìn)而進(jìn)步離子密度,使得濺鍍率進(jìn)步(一個(gè)數(shù)量級(jí)),濺射速度可達(dá)0.1—1 um/min膜層附著力較蒸鍍佳,是現(xiàn)在有用的鍍膜技能之一。

關(guān)鍵詞: 真空鍍膜設(shè)備           

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